氮化铝(AIN)单晶炉设备

氮化铝(AlN)是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料。 氮化铝拥有热导率高、热膨胀系数低、介电常数高、抗腐蚀能力强、热力学稳定性高等优异特性。

项目背景:

氮化铝(AlN)单晶材料在短波长光电子器件及新型电子器件方面有巨大的应用前景,大尺寸AlN单晶材料制备关键技术是当前亟待解决的重大科学问题。

探索在高温高压条件下用物理气相传输法制备大尺寸AlN单晶的工艺条件和技术,

积极优化和改进晶体生长设备,通过大量的实验和理论研究逐步了解AlN单晶的生长规律,掌握制备大尺寸AlN单晶材料的关键技术,制备出2英寸以上的AlN单晶。

本项目的研究成果极大地提升氮化物半导体方面的原始创新能力和整体研究水平,增强国际竞争力。

我司的工作任务:

配合课题专家完成设备的软控系统开发定制

技术亮点:

逸维智能科技有限公司

逸维产品包括半导体、汽车新能源、生物医药、环保与3C生产线控制系统。

专项定制

逸维产品包括半导体、汽车新能源、生物医药、环保与3C生产线控制系统。

专项定制

逸维产品包括半导体、汽车新能源、生物医药、环保与3C生产线控制系统。

关联内容

首页
产品
新闻
联系