项目背景：
碳化硅外延设备
碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片
在晶体生长和晶片加工过程中，不可避免地会在表面或近表面产生缺陷，导致衬底的材料质量和表面质量下降，直接影响制得器件的性能。
而外延局的生长可以消除许多缺陷，使晶格排列整齐，表面形貌得到改观。
外延片作为半导体原材料，位于半导体产业链上游，是半导体制造产业的支撑性行业。
衬底材料上通过CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）设备进行晶体外延生长、制成外延片。
技术难点:
熟悉掌握外延工艺
精准控温
精准压力控制
精准流量控制
工艺菜单稳定运行
